近日，中鋼天源通過《專利合作條約》（PCT）途徑申請的國際專利《一種黑磷納米片及其制備方法與應(yīng)用》正式獲得美國專利商標局授權(quán)。這是中鋼天源首項通過PCT途徑在美國獲得授權(quán)的發(fā)明專利，標志著中鋼天源在國際化知識產(chǎn)權(quán)布局上邁出關(guān)鍵一步，彰顯了公司在新材料領(lǐng)域核心技術(shù)創(chuàng)新能力獲國際認可。

  黑磷烯，作為一種極-具應(yīng)用潛力的二維半導(dǎo)體材料，長期以來因其制備難度大而備受關(guān)注。中鋼天源的此項專利技術(shù)為低維材料規(guī)模化制備開拓了新思路，提供了一種以黑磷烯為代表的一系列導(dǎo)電二維層狀材料剝離至單層的規(guī)模化制備方法，該方法通過堿性水系電解液結(jié)合環(huán)氧樹脂輔助電化學(xué)剝離，可實現(xiàn)低氧化、高產(chǎn)率黑磷納米片制備，做到了先進低維層狀材料備技術(shù)與綠色生產(chǎn)理念高-效融合。

該技術(shù)的突破是中鋼天源邁向高端先進材料制造的又一重要標志，填補了國際相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)空白，將引領(lǐng)低維層狀材料生產(chǎn)行業(yè)向更清潔、更綠色、更高質(zhì)量方向發(fā)展。

此次PCT國際專利的獲得，不僅是中鋼天源國際化戰(zhàn)略的重要里程碑，更是公司持續(xù)加大研發(fā)投入、推動新材料技術(shù)國際化的有力證明。未來，中鋼天源將繼續(xù)秉持創(chuàng)新精神，不斷加大研發(fā)投入，全-面推動新材料技術(shù)跨境轉(zhuǎn)化，為全球碳中和目標實現(xiàn)及高科技產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展貢獻“天源”力量。